| номер части | TC58BYG2S0HBAI4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND (SLC) |
| Размер памяти | 4G (512M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | 25ns |
| Время доступа | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.7V ~ 1.95V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 63-VFBGA |
| Пакет устройств поставщика | 63-TFBGA (9x11) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA | - | 49 | подробности |
 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA | - | 56 | подробности |
 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 99 | подробности |
 |
TC58BVG0S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 477 | подробности |
 |
TC58BVG1S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | - | 13764 | подробности |
 |
TC58BVG1S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA | - | 0 | подробности |
 |
TC58BVG1S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 78 | подробности |
 |
TC58BVG1S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 2 | подробности |
 |
TC58BVG2S0HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA | - | 50 | подробности |
 |
TC58BVG2S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 72 | подробности |
 |
TC58BVG2S0HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 162 | подробности |
 |
TC58BYG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE | - | 17435 | подробности |
