| номер части | S1GLR2G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 400V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.8µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 400V |
| Емкость @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-219AB |
| Пакет устройств поставщика | Sub SMA |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 832500 | подробности |
|
S1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1562148 | подробности |
|
S1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1041432 | подробности |
 |
S1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 0 | подробности | |
 |
S1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 245000 | подробности |
 |
S1G-E3/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | 0 | подробности | |
 |
S1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | подробности |
 |
S1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | подробности |
|
S1G-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25825 | подробности |
|
S1G-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | подробности |
|
S1G-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25814 | подробности |
|
S1G-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT | - | 1769008 | подробности |
