| номер части | RFN1L7STE25 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 700V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 800mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.5V @ 800mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 80ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 700V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AC, SMA |
| Пакет устройств поставщика | PMDS |
| Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFN10B3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD | 0 | подробности | |
 |
RFN10BM3SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE CORRE | - | 168612 | подробности |
 |
RFN10BM3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 | - | 0 | подробности |
|
RFN10BM6SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE AEC-Q | - | 126459 | подробности |
|
RFN10NS6SFHTL | Rohm Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES CORRESPOND | - | 112007 | подробности |
 |
RFN10NS6STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | 0 | подробности | |
 |
RFN10T2D | Rohm Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN | 479 | подробности | |
 |
RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | 0 | подробности | |
 |
RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | ROHMS FAST RECOVERY DIODES ARE | - | 43616 | подробности |
 |
RFN1L6STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS | 1500 | подробности | |
 |
RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS | 10500 | подробности | |
|
RFN1LAM6STFTR | Rohm Semiconductor | RFN1LAM6STF IS THE HIGH RELIABIL | - | 537941 | подробности |
