BR25G512FJ-3GE2

SPI BUS EEPROM
BR25G512FJ-3GE2 P1
BR25G512FJ-3GE2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ BR25G512FJ-3GE2

номер части
BR25G512FJ-3GE2
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
SPI BUS EEPROM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BR25G512FJ-3GE2 PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BR25G512FJ-3GE2
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти EEPROM
Технологии EEPROM
Размер памяти 512Kb (64K x 8)
Частота часов 10MHz
Время цикла записи - слово, страница 5ms
Время доступа -
Интерфейс памяти SPI
Напряжение - Поставка 1.8V ~ 5.5V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOP-J

сопутствующие товары

Все продукты