NSBC123EDXV6T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC123EDXV6T1G P1
NSBC123EDXV6T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NSBC123EDXV6T1G

номер части
NSBC123EDXV6T1G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NSBC123EDXV6T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NSBC123EDXV6T1G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход -
Мощность - макс. 500mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика SOT-563

сопутствующие товары

Все продукты