NCV1413BDR2G

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
NCV1413BDR2G P1
NCV1413BDR2G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NCV1413BDR2G

номер части
NCV1413BDR2G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NCV1413BDR2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NCV1413BDR2G
Статус детали Active
Тип транзистора 7 NPN Darlington
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Мощность - макс. -
Частота - переход -
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 16-SOIC

сопутствующие товары

Все продукты