Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T18H410-24SR6

номер части: A2T18H410-24SR6
производитель: NXP USA Inc.
Описание: IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: A2T18H410-24SR6.pdf A2T18H410-24SR6 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	A2T18H410-24SR6
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	1.81GHz
Усиление	17.4dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	800mA
Выходная мощность	71W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	NI-1230-4LS2L
Пакет устройств поставщика	NI-1230-4LS2L

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
A2T18H100-25SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.81GHZ		0	подробности
A2T18H160-24SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18H410-24SR6	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18H450W19SR6	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18H455W23NR6	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	-	474	подробности
A2T18S160W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18S160W31SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18S162W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18S162W31SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
A2T18S165-12SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	-	775	подробности
A2T18S166W12SR3	NXP USA Inc.	FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2	-	1247	подробности
A2T18S260-12SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	-	639	подробности