| номер части | 74HCT4351N,112 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Цепь переключения | - |
| Цепь мультиплексора / демультиплексора | 8:1 |
| Количество схем | 1 |
| Сопротивление состояния (макс.) | 120 Ohm |
| Channel-to-Channel Matching (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
| Напряжение - Питание, Одиночное (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Напряжение - питание, двойное (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
| Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | 35ns, 23ns |
| Пропускная способность -3 дБ | 170MHz |
| Инъекция заряда | - |
| Емкость канала (CS (выкл.), CD (выкл.)) | 3.5pF |
| Ток - утечка (IS (выкл.)) (Макс.) | 100nA |
| Перекрестная | - |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Упаковка / чехол | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Пакет устройств поставщика | 20-DIP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | 0 | подробности | |
 |
74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | 0 | подробности | |
 |
74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | - | 813637 | подробности |
 |
74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | - | 2500 | подробности |
 |
74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 7981 | подробности | |
 |
74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | подробности | |
 |
74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | подробности | |
 |
74HCT00D/AUJ | NXP USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | подробности | |
 |
74HCT00DB,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 112 | подробности | |
 |
74HCT00DB,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 0 | подробности | |
 |
74HCT00N,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP | 0 | подробности | |
 |
74HCT00PW,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP | 0 | подробности |
