Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Nexperia USA Inc. ~ PMDPB30XN,115

номер части: PMDPB30XN,115
производитель: Nexperia USA Inc.
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PMDPB30XN,115.pdf PMDPB30XN,115 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

номер части	PMDPB30XN,115
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Функция FET	Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	21.7nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	660pF @ 10V
Мощность - макс.	490mW
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	DFN2020-6

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	-	0	подробности
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON		0	подробности
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	-	0	подробности
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	-	0	подробности
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON		0	подробности
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	-	0	подробности
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6		3000	подробности
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6		0	подробности
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	-	0	подробности
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	-	0	подробности
PMDPB70XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN		0	подробности
PMDPB70XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON		3000	подробности