Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Nexperia USA Inc. ~ PDTD113EQAZ

номер части: PDTD113EQAZ
производитель: Nexperia USA Inc.
Описание: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PDTD113EQAZ.pdf PDTD113EQAZ PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	PDTD113EQAZ
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	1k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	1k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	500nA
Частота - переход	210MHz
Мощность - макс.	325mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	3-XDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	DFN1010D-3

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
PDTD113EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	подробности
PDTD113EQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 3DFN		0	подробности
PDTD113ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3		0	подробности
PDTD113ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		0	подробности
PDTD113EUF	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.425W		0	подробности
PDTD113EUX	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.425W		0	подробности
PDTD113ZK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3		0	подробности
PDTD113ZQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 3DFN		0	подробности
PDTD113ZS,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3		0	подробности
PDTD113ZT,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB		6000	подробности
PDTD113ZTVL	Nexperia USA Inc.	PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB	-	1234029	подробности
PDTD113ZUF	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.425W		0	подробности