IXDN602SI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
IXDN602SI P1
IXDN602SI P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDN602SI

номер части
IXDN602SI
производитель
IXYS Integrated Circuits Division
Описание
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IXDN602SI.pdf IXDN602SI PDF online browsing
семья
PMIC - драйверы Gate
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXDN602SI
Статус детали Active
Управляемая конфигурация Low-Side
Тип канала Independent
Количество драйверов 2
Тип ворот IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка 4.5 V ~ 35 V
Напряжение логики - VIL, VIH 0.8V, 3V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина) 2A, 2A
Тип ввода Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап) -
Время нарастания / падения (Тип) 7.5ns, 6.5ns
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Пакет устройств поставщика 8-SOIC-EP

сопутствующие товары

Все продукты