| номер части | SPB100N06S2-05 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB10045E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 45V 100A SOT227 | 0 | подробности | |
 |
SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4000 | подробности | |
 |
SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
SPB100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | 0 | подробности |
