IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252
IPD95R2K0P7ATMA1 P1
IPD95R2K0P7ATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD95R2K0P7ATMA1

номер части
IPD95R2K0P7ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPD95R2K0P7ATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPD95R2K0P7ATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 950V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 330pF @ 400V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 37W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты