Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD036N04L G

номер части	IPD036N04L G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 45µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	78nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6300pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 90A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IPD025N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3	-	5000	подробности
IPD031N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	-	0	подробности
IPD031N03LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	-	0	подробности
IPD031N03M G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	-	0	подробности
IPD031N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	-	0	подробности
IPD031N06L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	-	57248	подробности
IPD033N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-252-3	-	0	подробности
IPD034N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	-	10000	подробности
IPD034N06N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3	-	85720	подробности
IPD035N06L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3		0	подробности
IPD036N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	-	5000	подробности
IPD036N04LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	-	110763	подробности