FZ600R65KE3NOSA1

MODULE IGBT A-IHV190-6
FZ600R65KE3NOSA1 P1
FZ600R65KE3NOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FZ600R65KE3NOSA1

номер части
FZ600R65KE3NOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT A-IHV190-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FZ600R65KE3NOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FZ600R65KE3NOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 6500V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1200A
Мощность - макс. 2400W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 600A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 160nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -50°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты