FZ1200R17HP4B2BOSA2

MODULE IGBT IHMB130-1
FZ1200R17HP4B2BOSA2 P1
FZ1200R17HP4B2BOSA2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FZ1200R17HP4B2BOSA2

номер части
FZ1200R17HP4B2BOSA2
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT IHMB130-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FZ1200R17HP4B2BOSA2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FZ1200R17HP4B2BOSA2
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1200A
Мощность - макс. 7800W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты