FS150R12PT4BOSA1

IGBT MODULE VCES 650V 150A
FS150R12PT4BOSA1 P1
FS150R12PT4BOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FS150R12PT4BOSA1

номер части
FS150R12PT4BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 650V 150A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FS150R12PT4BOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FS150R12PT4BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200A
Мощность - макс. 680W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.35nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты