BSM75GD120DLCBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM75GD120DLCBOSA1 P1
BSM75GD120DLCBOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSM75GD120DLCBOSA1

номер части
BSM75GD120DLCBOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSM75GD120DLCBOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSM75GD120DLCBOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 125A
Мощность - макс. 500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 92µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты