BSM35GP120GBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
BSM35GP120GBOSA1 P1
BSM35GP120GBOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSM35GP120GBOSA1

номер части
BSM35GP120GBOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSM35GP120GBOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSM35GP120GBOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 45A
Мощность - макс. 230W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
вход Three Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты