BOM

GP1M005A050CH

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › GP1M005A050CH
GP1M005A050CH P1
GP1M005A050CH P2
GP1M005A050CH P1
GP1M005A050CH P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GP1M005A050CH

номер части
GP1M005A050CH
производитель
Global Power Technologies Group
Описание
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
GP1M005A050CH.pdf GP1M005A050CH PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GP1M005A050CH
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 627pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 92.5W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-Pak
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
GP1M003A040CG GP1M003A040CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 0 подробности
GP1M003A040PG GP1M003A040PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A IPAK 0 подробности
GP1M003A050CG GP1M003A050CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK 0 подробности
GP1M003A050FG GP1M003A050FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 0 подробности
GP1M003A050HG GP1M003A050HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 0 подробности
GP1M003A050PG GP1M003A050PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK 0 подробности
GP1M003A080CH GP1M003A080CH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 0 подробности
GP1M003A080FH GP1M003A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 0 подробности
GP1M003A080H GP1M003A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220 0 подробности
GP1M003A080PH GP1M003A080PH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 0 подробности
GP1M003A090C GP1M003A090C Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK 0 подробности
GP1M003A090PH GP1M003A090PH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK 0 подробности