| номер части | GD25WD10CTIG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NOR |
| Размер памяти | 1Mb (128K x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O |
| Напряжение - Поставка | 1.65V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | подробности | |
|
GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | подробности | |
|
GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | подробности | |
|
GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | подробности | |
|
GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | подробности | |
|
GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | подробности | |
 |
GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 275177 | подробности |
|
GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | - | 212635 | подробности |
 |
GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 313151 | подробности |
 |
GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 338670 | подробности |
|
GD25D10CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 258991 | подробности |
|
GD25D10CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM | - | 201445 | подробности |
