GD25S512MDBIGY

NOR FLASH
GD25S512MDBIGY P1
GD25S512MDBIGY P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD25S512MDBIGY

номер части
GD25S512MDBIGY
производитель
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Описание
NOR FLASH
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- GD25S512MDBIGY PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GD25S512MDBIGY
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NOR
Размер памяти 512Mb (64M x 8)
Частота часов 104MHz
Время цикла записи - слово, страница 50µs, 2.4ms
Время доступа -
Интерфейс памяти SPI - Quad I/O
Напряжение - Поставка 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 24-TBGA
Пакет устройств поставщика 24-TFBGA (6x8)

сопутствующие товары

Все продукты