| номер части | GC50MPS12-247 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 212A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.8V @ 50A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F | 3263pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-2 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-2 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GC50MPS06-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 650V 50A TO-247-2 | - | 3503 | подробности |
|
GC50MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2 | - | 1572 | подробности |
