| номер части | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±16V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 49W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | 0 | подробности | |
 |
RFD12N06RLESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | - | 10000 | подробности |
