ZXMN2A04DN8TA

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
ZXMN2A04DN8TA P1
ZXMN2A04DN8TA P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ ZXMN2A04DN8TA

номер части
ZXMN2A04DN8TA
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- ZXMN2A04DN8TA PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части ZXMN2A04DN8TA
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Функция FET Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.9A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22.1nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1880pF @ 10V
Мощность - макс. 1.8W
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOP

сопутствующие товары

Все продукты