UMC4N-7

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
UMC4N-7 P1
UMC4N-7 P2
UMC4N-7 P3
UMC4N-7 P1
UMC4N-7 P2
UMC4N-7 P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ UMC4N-7

номер части
UMC4N-7
производитель
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- UMC4N-7 PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части UMC4N-7
Статус детали Active
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 47k, 10k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 47k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Пакет устройств поставщика SOT-353

сопутствующие товары

Все продукты