Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMN3005LK3-13

номер части	DMN3005LK3-13
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	14.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	46.9nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4342pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.68W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	-	0	подробности
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	-	0	подробности
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8		0	подробности
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	-	1626000	подробности
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	подробности
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	подробности
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	подробности
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	подробности
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	подробности
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	подробности
DMN3009LFVW-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	подробности
DMN3009LFVW-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	подробности