DDTD114GC-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DDTD114GC-7-F P1
DDTD114GC-7-F P2
DDTD114GC-7-F P1
DDTD114GC-7-F P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DDTD114GC-7-F

номер части
DDTD114GC-7-F
производитель
Diodes Incorporated
Описание
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DDTD114GC-7-F PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DDTD114GC-7-F
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) -
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 200MHz
Мощность - макс. 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты