DDTA115GE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
DDTA115GE-7-F P1
DDTA115GE-7-F P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DDTA115GE-7-F

номер части
DDTA115GE-7-F
производитель
Diodes Incorporated
Описание
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DDTA115GE-7-F PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DDTA115GE-7-F
Статус детали Active
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) -
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 100k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-523
Пакет устройств поставщика SOT-523

сопутствующие товары

Все продукты