| номер части | CDBGBSC20650-G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 650V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) | 33A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.7V @ 10A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 650V |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 9432 | подробности |
|
CDBGBSC201200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 4851 | подробности |
|
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 12870 | подробности |
