BLF6G10LS-200RN:11

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
BLF6G10LS-200RN:11 P1
BLF6G10LS-200RN:11 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G10LS-200RN:11

номер части
BLF6G10LS-200RN:11
производитель
Ampleon USA Inc.
Описание
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
BLF6G10LS-200RN:11.pdf BLF6G10LS-200RN:11 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BLF6G10LS-200RN:11
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 871.5MHz ~ 891.5MHz
Усиление 20dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 49A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.4A
Выходная мощность 40W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-502B
Пакет устройств поставщика SOT502B

сопутствующие товары

Все продукты