Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF2425M7LS100J

номер части: BLF2425M7LS100J
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF2425M7LS100J.pdf BLF2425M7LS100J PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF2425M7LS100J
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.3GHz ~ 2.4GHz
Усиление	18dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	900mA
Выходная мощность	20W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF242,112	Ampleon USA Inc.	RF FET NCHA 65V 16DB SOT123A	подробности
BLF2425M6L180P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A	подробности
BLF2425M6L180P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A	подробности
BLF2425M6LS180P,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B	подробности
BLF2425M6LS180P:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B	подробности
BLF2425M7L100J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	подробности
BLF2425M7L100U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	подробности
BLF2425M7L140,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	подробности
BLF2425M7L140,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	подробности
BLF2425M7L250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A	подробности
BLF2425M7L250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A	подробности
BLF2425M7LS100J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	подробности