VS-100MT060WSP

IGBT
VS-100MT060WSP P1
VS-100MT060WSP P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-100MT060WSP

부품 번호
VS-100MT060WSP
제조사
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술
IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- VS-100MT060WSP PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
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제품 매개 변수

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부품 번호 VS-100MT060WSP
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 107A
전력 - 최대 403W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.49V @ 15V, 60A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 9.5nF @ 30V
입력 Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터 Yes
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 12-MTP Module
공급 업체 장치 패키지 MTP

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