TPN30008NH,LQ

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPN30008NH,LQ P1
TPN30008NH,LQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN30008NH,LQ

부품 번호
TPN30008NH,LQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
기술
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- TPN30008NH,LQ PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 TPN30008NH,LQ
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 920pF @ 40V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.8A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN

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