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| 부품 번호 | TPCF8102(TE85L,F,M |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 700mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 3A, 4.5V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | VS-8 (2.9x1.5) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPCF8101(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | 0 | 세부 | |
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TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A | 0 | 세부 | |
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TPCF8104(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | 0 | 세부 | |
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TPCF8107,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 6A VS-8 | - | 435 | 세부 |