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| 부품 번호 | TPC8211(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1250pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 450mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 | 0 | 세부 | |
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TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | 0 | 세부 | |
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TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 | 0 | 세부 |