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| 부품 번호 | RN2101(T5L,F,T) |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 4.7k |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) | 4.7k |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 500nA |
| 빈도 - 전환 | 200MHz |
| 전력 - 최대 | 100mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-75, SOT-416 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SSM |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 3128 | 세부 |
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RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 3000 | 세부 |
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RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 0 | 세부 |
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RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | 세부 |
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RN2102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 0 | 세부 |
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RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 0 | 세부 |
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RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | 세부 |
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RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 0 | 세부 |
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RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 | - | 10000 | 세부 |
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RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | - | 0 | 세부 |
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RN2103MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | - | 26330 | 세부 |
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RN2104(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | - | 0 | 세부 |