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| 부품 번호 | S1J-KR2G |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 1.5µs |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 1µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급 업체 장치 패키지 | DO-214AC (SMA) |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S1J | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 37500 | 세부 |
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S1J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1361872 | 세부 |
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S1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1041432 | 세부 |
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S1J-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | 0 | 세부 | |
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S1J-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 154000 | 세부 |
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S1J-E3/51T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | 0 | 세부 | |
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S1J-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 0 | 세부 |
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S1J-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 90000 | 세부 |
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S1J-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25822 | 세부 |
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S1J-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 8406 | 세부 |
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S1J-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25809 | 세부 |
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S1J-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 1769008 | 세부 |