SP8M2FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
SP8M2FU6TB P1
SP8M2FU6TB P1
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Rohm Semiconductor ~ SP8M2FU6TB

부품 번호
SP8M2FU6TB
제조사
Rohm Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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부품 번호 SP8M2FU6TB
부품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 83 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 10V
전력 - 최대 2W
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SOP

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