NTJD4105CT4G

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
NTJD4105CT4G P1
NTJD4105CT4G P1
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ON Semiconductor ~ NTJD4105CT4G

부품 번호
NTJD4105CT4G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 NTJD4105CT4G
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V, 8V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 630mA, 775mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 46pF @ 20V
전력 - 최대 270mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363

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