FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
FDMS3660S-F121 P1
FDMS3660S-F121 P1
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ON Semiconductor ~ FDMS3660S-F121

부품 번호
FDMS3660S-F121
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- FDMS3660S-F121 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 FDMS3660S-F121
부품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A, 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1765pF @ 15V
전력 - 최대 1W
작동 온도 -
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지 Power56

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