ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ECH8690-TL-H P1
ECH8690-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8690-TL-H

부품 번호
ECH8690-TL-H
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 ECH8690-TL-H
부품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 955pF @ 20V
전력 - 최대 1.5W
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
공급 업체 장치 패키지 8-ECH

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