MRF8372R2

TRANS NPN 16V 200MA SO8
MRF8372R2 P1
MRF8372R2 P1
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Microsemi Corporation ~ MRF8372R2

부품 번호
MRF8372R2
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS NPN 16V 200MA SO8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
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제품 매개 변수

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부품 번호 MRF8372R2
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 16V
빈도 - 전환 870MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 8dB ~ 9.5dB
전력 - 최대 2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 200mA
작동 온도 -
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-SO

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