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BOM

2N2609

JFETS
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - JFET › 2N2609
2N2609 P1
2N2609 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N2609

부품 번호
2N2609
제조사
Microsemi Corporation
기술
JFETS
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- 2N2609 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - JFET
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제품 매개 변수

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부품 번호 2N2609
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) 30V
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) -
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2mA @ 5V
전류 드레인 (Id) - 최대 10mA
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID 750mV @ 1A
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10pF @ 5V
저항 - RDS (켜짐) -
전력 - 최대 300mW
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급 업체 장치 패키지 TO-18 (TO-206AA)

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