이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
| 부품 번호 | JANTX1N756A-1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 전압 - 제너 (Nom) (Vz) | 8.2V |
| 공차 | ±5% |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 8 Ohm |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 1µA @ 6V |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급 업체 장치 패키지 | DO-35 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | 세부 |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | 세부 |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | 세부 |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 세부 |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | 세부 |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | 세부 |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | 세부 |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | 세부 |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | 세부 |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 세부 |