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| 부품 번호 | BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A, 2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 20µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 380pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-DSO-8 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | 0 | 세부 | |
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BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | - | 0 | 세부 |
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BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 0 | 세부 |
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BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 0 | 세부 |
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BSO613SPVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | - | 143752 | 세부 |
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BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | - | 0 | 세부 |
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BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | - | 144041 | 세부 |
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BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | 0 | 세부 | |
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BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | 0 | 세부 | |
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BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | - | 0 | 세부 |
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BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | - | 147724 | 세부 |