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BOM

GP1M008A050PG

MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › GP1M008A050PG
GP1M008A050PG P1
GP1M008A050PG P1
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Global Power Technologies Group ~ GP1M008A050PG

부품 번호
GP1M008A050PG
제조사
Global Power Technologies Group
기술
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 GP1M008A050PG
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 937pF @ 25V
Vgs (최대) ±30V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 120W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 I-Pak
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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