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BOM

DMT6009LFG-7

MOSFET N-CH 60V 11A
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7 P1
DMT6009LFG-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT6009LFG-7

부품 번호
DMT6009LFG-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET N-CH 60V 11A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- DMT6009LFG-7 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 DMT6009LFG-7
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 33.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (최대) ±16V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 PowerDI3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN

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