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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SQJQ910EL-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.6 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 58nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2832pF @ 50V |
| 電力 - 最大 | 187W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SQJQ910EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 | - | 41971 | 詳細 |