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| 品番 | SQJ200EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A, 60A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 975pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 27W, 48W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | 詳細 |
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SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | - | 3000 | 詳細 |
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SQJ204EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L | - | 102107 | 詳細 |